2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PB5 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PB5-23] 超臨界CO2流体を用いたCuドープZnOの堆積および微細埋め込み

近藤 英一1、塩田 明美1、金 蓮花1、Bernard Gelloz2 (1.山梨大、2.名大)

キーワード:超臨界流体、透明導電膜、酸化亜鉛

ポーラスシリコン(PSi)は有力な発光デバイス材料である。その発光効率を向上させるためにはPSiのナノポーラス構造内に電極材料を充填し接触面積を増加させる必要がある。そこで注目したのが超臨界流体中薄膜堆積法(SFCD)である。超臨界流体は低粘性で高拡散性、表面張力がゼロなどの性質を有し物質輸送能力に優れているため、細孔内の物質処理に適している。今回の発表では、導電性付与を目的としCuドープZnOのSFCDを実証したことを報告し、さらにSFCD ZnOの微細構造埋め込みも併せて報告する。