2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PB5 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PB5-24] ZnOナノ粒子への熱拡散型Gaドープにおける熱処理雰囲気の影響

吉田 俊幸1、Islam Md Maruful2、藤田 恭久1 (1.島根大院自然科学、2.島根大院総理工)

キーワード:ナノ粒子、酸化亜鉛、Gaドープ

ZnOナノ粒子への熱拡散型Gaドーピングに関する研究です。得られたGaドープZnOナノ粒子は塗布型TFTなどへ応用します。現在,ZnO粒子単体ではGΩ/sq~MΩ/sq台と極めて高いシート抵抗値ですが,Gaドープにより最小で225Ω/sqまで低減化できました。Ga原子がZnO粒子へ拡散することまでははっきりしていますが,拡散量から期待されるほどに粒子層のシート抵抗が下がらず,原因を究明中です。