[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-23] 超臨界CO₂流体を用いたCuドープZnOの堆積および微細埋め込み

〇近藤 英一¹、塩田 明美¹、金 蓮花¹、Bernard Gelloz² (1.山梨大、2.名大)

キーワード：超臨界流体、透明導電膜、酸化亜鉛

ポーラスシリコン(PSi)は有力な発光デバイス材料である。その発光効率を向上させるためにはPSiのナノポーラス構造内に電極材料を充填し接触面積を増加させる必要がある。そこで注目したのが超臨界流体中薄膜堆積法（SFCD）である。超臨界流体は低粘性で高拡散性、表面張力がゼロなどの性質を有し物質輸送能力に優れているため、細孔内の物質処理に適している。今回の発表では、導電性付与を目的としCuドープZnOのSFCDを実証したことを報告し、さらにSFCD ZnOの微細構造埋め込みも併せて報告する。