[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-27] NiO系p型透明薄膜トランジスタの実現に向けたNiO/絶縁膜に熱処理が与える影響

〇岡田 浩明¹、金 冑男^1,2、杉山 睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

キーワード：酸化ニッケル、薄膜トランジスタ、スパッタ