[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-3] 合成雲母上へのバッファ層の挿入による曲げられるα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇新田 悠汰¹、西中 浩之¹、田原 大祐¹、島添 和樹¹、伊藤 雄祐¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、フレキシブル、バッファ層

本研究では、パワーデバイス応用が大いに期待されているワイドバンドギャップ半導体α-Ga₂O₃を曲げられる状態で得るため、容易な薄層化が可能な合成雲母上へミストCVD法を用いた薄膜成長を実施した。コランダム構造を有するα-Fe₂O₃をバッファ層として挿入することで、薄層化した合成雲母上にα-Ga₂O₃がエピタキシャル成長した。試料は薄膜の剥離など生じることなく容易に曲げられることが確認でき、フレキシブルなα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長に初めて成功した。