[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-5] Effect of Buffer Layer on Crystallinity of α-Ir₂O₃ Thin Films

〇Hiroki Kitade¹, Shin-ichi Kan¹, Syu Takemoto¹, Kentaro Kaneko¹, Takashi Shinohe², Shizuo Fujita¹ (1.Graduate School of Engineering, Kyoto University, 2.FLOSFIA INC.)

Keywords:Ir2O3, oxide semiconductor

次世代のパワーデバイス材料として，酸化イリジウムが注目されている．しかし酸化イリジウムを作製する際に，従来の原料ではその溶液濃度の低さから成長レートを上げることが困難であった．一方，濃度の高いクロライド原料を用いた場合は，成長レートは上がるが表面平坦性が低くなり，平坦性の改善が望まれていた．本研究ではバッファ層上にクロライド原料を用いて成膜を行い，バッファ層が結晶性に与える影響について調査した．