2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[19a-B11-1~9] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 11:30 B11 (B11)

内田 建(東大)

10:30 〜 10:45

[19a-B11-6] Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices

Manjakavahoaka Razanoelina1、Himma Firdaus1、Tokinobu Watanabe1、Masahiro Hori1、Daniel Moraru1、Yasuo Takahashi2、Akira Fujiwara3、Yukinori Ono1 (1.Shizuoka Univ.、2.Hokkaido Univ.、3.NTT Basic Research Lab.)

キーワード:energy-efficient devices, hydrodynamic effects, electron-electron scattering

The fundamental limit MOSFET devices drivability is the source injection current hindered by momentum non-conserving scattering. Here we propose to overcome this limit with the silicon electron aspirator which uses the electron-electron scattering to enhance the output current of a transistor without additional power.