[19a-B11-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19a-B11-8] 単一MOS界面トラップの2電子準位の相関 I ー準位密度分布ー

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：シリコン、単一界面トラップ、エネルギー準位密度分布

これまでにチャージポンピング法を駆使して，単一MOS界面トラップにおける電子準位対のエネルギー密度分布（DOS）を導出し，バンドギャップ内に非対称な2つのピークがあることを示した．今回，このピーク位置にあるアクセプタ（A）型準位と対をなすドナー型（D）準位のエネルギー位置，および，ピーク位置にあるD型準位と対をなすA型準位のエネルギー位置を求め考察した．