[19a-B12-1~11] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[19a-B12-1] 導電性高分子におけるドーパント構造秩序の実現とバンド伝導性

〇山下 侑^1,2、鶴見 淳人²、上治 寛²、河野 真弥¹、熊谷 翔平¹、黒澤 忠法¹、岡本 敏宏^1,3,4、渡邉 峻一郎^1,3,4、竹谷 純一^1,2,4 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST さきがけ、4.OPERANDO-OIL)

キーワード：高分子半導体、化学ドーピング、キャリア伝導

化学ドーピングされた高分子半導体においてバンド伝導に由来する高伝導特性を観測した。さらに、バンド伝導の前提となる結晶性を評価するために、ドープ薄膜のX線回折測定を行った。回折ピークをシミュレーションと比較した結果、半導体とドーパントアニオンの両方による構造秩序形成が示された。これはドープされた高分子半導体の結晶性・バンド伝導の基礎的な理解と高移動度材料としてのポテンシャルを示す結果である。