[19a-C310-1~12] 6.6 プローブ顕微鏡

[19a-C310-12] 低温走査トンネルポテンショメトリーの開発

〇浜田 雅之¹、楊 鈜翔¹、長谷川 幸雄¹ (1.東大物性研)

キーワード：走査トンネルポテンショメトリー、表面電位分布測定、表面電気伝導測定

走査トンネルポテンショメトリーは、試料表面に電流が流れている状態での電位分布を極めて高い電位・空間分解能で描き出す手法である。我々は、超高真空対応の装置開発を進め、室温でSi(111)-(7x7)での電位分布測定に成功し、位相境界での電位変化の存在を初めて明らかにした。次の段階として、電子局在・閉じ込め効果等の量子現象が、電気伝導特性に現れると期待される低温下での測定に向けて開発を進めている。