[19a-E208-1~10] 【CS.3】 3.10 光量子物理・技術、3.11 フォトニック構造・現象、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、11.5 接合、回路作製プロセスおよびデジタル応用、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

△ [19a-E208-2] 一方向出射が可能なSi光導波路集積型量子ドット単一光子源の設計

〇(D)勝見 亮太^1,2,3、太田 泰友⁴、岩本 敏^1,2,4、秋山 英文³、荒川 泰彦⁴ (1.東大先端研、2.東大生研、3.東大物性研、4.東大ナノ量子機構)

キーワード：単一光子源、シリコンフォトニクス、転写プリント法

Siフォトニクスは量子光回路の大規模化への有望なプラットフォームである。スケーラブルなSi量子光回路を実現する上で、決定論的動作が可能な固体量子光源のSi上集積は一つの重要な課題である。同課題の解決を目指し、我々は、転写プリント法を用いた半導体量子ドット(QD)単一光子源のSi上ハイブリッド集積を進めてきた。ところが、これまで検討した光源構造は、その空間対称性から光子が導波路両側に出射されてしまうという課題があった。そこで今回、転写プリント法による作製を念頭に、Si導波路上に集積されたQD光源において、光子の一方向出射が可能な光構造を検討したので報告する。