2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[19a-E214-1~5] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2019年9月19日(木) 10:00 〜 11:15 E214 (E214)

小椋 厚志(明治大)

10:30 〜 10:45

[19a-E214-3] GaAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性

〇(M2)海老澤 啓介1、馬 蓓1、森田 健1、大木 健輔1、石谷 善博1 (1.千葉大院工)

キーワード:LOフォノン