[19a-E302-1~10] 12.2 評価・基礎物性

△ [19a-E302-2] MOSキャパシタ構造を利用した有機半導体中のキャリア移動度評価

〇木村 由斉¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：有機半導体、キャリア移動度、MOSキャパシタ

有機デバイスの半導体内部や半導体／絶縁膜界面の状態は電気特性を決定付けるため非常に重要であり，その調査方法としてMOSキャパシタ構造のキャパシタンス特性を利用する方法がある．本研究では，電極に覆われていない有機半導体層を有するMOSキャパシタのキャパシタンス特性について，分布定数回路による等価回路でよく再現できることを示し，キャリア移動度の評価に成功したので，それについて報告する．