[19a-E304-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [19a-E304-7] Au錘3軸MEMS加速度センサのためのSCD電極の検討 (2)

〇市川 崇志¹、乙部 翔太¹、渥美 賢¹、古賀 達也¹、山根 大輔¹、飯田 慎一²、伊藤 浩之¹、石原 昇¹、町田 克之¹、曽根 正人¹、益 一哉¹ (1.東京工業大学、2.NTT-AT)

キーワード：MEMS加速度センサ、積層メタル構造、高分解能

本論文は、単一Au錘3軸MEMS加速度センサのために新しく提案したSCD（segmented capacitance detection）方式によるデバイス構造の電極パラメータが感度に及ぼす影響について検討した結果を報告する。高分解能化を目的として提案したSCD方式は3軸電極構造の簡略化が容易であるという特徴があり、検討及び試作を行い、実現の見通しを得ている。今回、電極パラメータと加速度センサ性能についての解析式を導出し、構造パラメータと感度の関係を明らかにした。