[19a-E305-1~12] 13.3 Insulator technology

[19a-E305-10] Effect of substrate type on electrical characteristics of TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/Si MFS capacitors

〇Kasidit Toprasertpong¹, Kento Tahara¹, Taichiro Fukui¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:Ferroelectric, Capacitor, Hysteresis

HfO₂系強誘電体が発見されて以来、CMOS LSIにおけるメモリやロジックデバイスを目指した研究が盛んに行われている。一方、強誘電体を用いたデバイスの特性は従来のデバイスより複雑になるため、電気特性の基礎的理解が重要となる。本研究は、HfO₂系強誘電体の強誘電性がSi基板上のMFS（金属/強誘電体/半導体）キャパシタの電気特性に与える影響について報告する。