[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-8] Al/HfO₂/n-Si(100)構造の抵抗変化現象の素子サイズ依存性

〇小林 滉平¹、寺垣 亮太¹、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、堀田 育志¹ (1.兵庫県立工)

キーワード：RRAM