[19a-E308-1~9] 17.3 層状物質

[19a-E308-3] 正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS₂の蓄積容量特性

〇谷川 晴紀¹、松浦 賢太朗¹、宗田 伊理也¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：スパッタリング、MoS2、C-V