[19a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-E310-2] Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding

〇(M1)Ryo Tanabe¹, Naoki Yokoyama¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Gallium nitride, Surface-Activated Bonding

GaNはc軸方向に大きな自発分極を有するため、極性を反転させ積層することで、高効率な波長変換デバイスの作製が可能となる。これまでにSi基板上GaN薄膜とサファイア基板上GaN薄膜を表面活性化接合によりチャネル導波路の試作に成功した。光集積デバイスを実現するためには、大面積の薄膜接合技術が求められ、接合強度が十分大きい必要がある。本研究では、引張試験を用いて接合強度を定量的に評価し、最適な接合条件を探索した。