[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-9] 中性粒子ビームエッチング法による高効率GaNマイクロLEDの作製

朱 俊¹、高橋 言緒¹、遠藤 和彦²、大堀 大介³、寒川 誠二^3,4,2、〇王 学論^5,6,1 (1.産総研ESPRIT、2.産総研NeRI、3.東北大IFS、4.東北大AIMR、5.産総研GaN-OIL、6.名大IMaSS)

キーワード：マイクロLED、中性粒子ビームエッチング、GaN