[19a-E311-1~8] 6.3 Oxide electronics

[19a-E311-8] Structural Analysis of Ti-doped VO2 thin films

〇Masami Kawahara¹, Takashi Uchida², Nhu Hai Van², Yuhi Fujishiro², Shizuka Takahashi¹, Tsuyoshi Samura¹, Takashi Tachiki² (1.Kojundo Chemical Lab, 2.National Defense Aca)

Keywords:CSD method, metal organic deomposition, bolometer

二酸化バナジウム(VO₂)は，室温付近にて高い抵抗温度係数(TCR)をもつため高感度なボロメータ素子への応用が期待されている。その抵抗-温度(R-T)特性は，65 ºC 近辺で相転移に伴う急激な抵抗変化を示し、ヒステリシスを示す。そのため，広い温度範囲で安定なボロメータ動作を得るため，高いTCR を維持しつつ，ヒステリシスならびに急激な抵抗変化のない抑制されたR-T 特性をもつ薄膜を有機金属分解(MOD)法を用いて作製した。
本研究では，昇温X線回折を用いて本薄膜の構造解析を行い、TiドープVO₂薄膜の温度による構造変化を評価した。