[19a-E313-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19a-E313-4] アモルファスGeSnの電子線照射による結晶化

〇本村 凌¹、稲永 航平¹、石丸 学¹、奥川 将行²、仲村 龍介² (1.九州工大、2.大阪府大)

キーワード：GeSn、半導体

本研究では、透過電子顕微鏡内でアモルファスGeSnに電子線照射を施し、結晶GeSnの低温合成を試みた。その結果、7.1at.%のSn濃度を含む粒径300nm程度の結晶GeSnを室温にて作製することに成功した。この電子線照射試料に熱処理を施したところ、熱処理のみを行った試料と比べて、Sn濃度の変化がほとんどなく、300℃まで安定に存在することが確認された。