[19a-E313-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19a-E313-6] 偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上Ge_1−xSn_x細線の電気特性評価

〇中尾 天哉¹、西嶋 泰樹²、清水 智²、角田 功²、中塚 理^1,3、黒澤 昌志^1,4 (1.名大院工、2.熊本高専、3.名大未来研、4.名大高等研究院)

キーワード：GeSn