[19a-E318-1~12] 【CS.7】 7.2 電子ビーム応用、7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

[19a-E318-5] Si(100)基板上に直接形成したチタン酸ビスマスナノ薄膜の構造と特性

〇香野 淳¹、田尻 恭之¹ (1.福岡大理)

キーワード：強誘電体ナノ薄膜、Bi層状構造強誘電体、強誘電体薄膜メモリ

微細な強誘電体メモリFeFET素子の開発を目指して、Bi層状構造強誘電体Bi_xLa_xTi₃O₁₂ (BLT)の ナノ薄膜の作製プロセスの開発を行い、ナノ薄膜の構造や結晶配向などと電気特性の相関について研究を行っている。化学溶液堆積法を用いてSi(100)基板上に形成したBi_xLa_xTi₃O₁₂ (BLT) 薄膜はナノサイズの結晶粒からなること、また高いa軸配向を示す。また、膜厚が20nm以下の膜でもAu/BLT/p-Siに明瞭なヒステリシスが確認された。講演では膜の構造や結晶粒の配向、界面層や界面準位の電気特性への影響などについて議論する。