[19a-N304-1~10] 3.7 レーザープロセシング

[19a-N304-8] 結晶異方性ウェットエッチングによるGaN-LIPSSの形状制御

〇松浦 英徳¹、宮川 鈴衣奈¹、江龍 修¹ (1.名工大院)

キーワード：フェムト秒レーザー

フェムト秒レーザー誘起周期構造（LIPSS）を光デバイス等に応用するため、デバイス性能を左右するLIPSSの形状の制御に取り組んでいる。これまでの研究から、被照射材料GaNの結晶方位によってLIPSSのアスペクト比が変わることを示したが、レーザーパラメータでの緻密な形状制御は困難である。本研究では、GaNの強塩基性水溶液によるエッチングの異方性を利用し、GaN基板にLIPSSを形成した後、KOHエッチングによるLIPSSの形状変化を調査した。