[19a-PA2-1~26] 3.9 テラヘルツ全般

[19a-PA2-25] 薄膜シリコンの透過テラヘルツ電場波形に対する光励起の影響

〇守安 毅¹、小出 大士朗¹、笹島 秀樹¹、梅村 洋輝¹、アファリヤ ジェシカ²、谷 正彦²、北原 英明³、河本 敏郎⁴、熊倉 光孝¹ (1.福井大院工、2.福井大遠赤セ、3.阪大レーザー研、4.神戸大院理)

キーワード：半導体、テラヘルツ分光、シリコン

光学定数に起因するテラヘルツパルスの伝播特性の変化を元に半導体のキャリアダイナミクスを研究するためにシリコンを対象に光ポンプ・テラヘルツ波プローブ分光を行った．バルクシリコンと薄膜シリコンを対象にOPTPを行ったところ透過テラヘルツ電場波形の伝播特性が大きく異なることが確認された．