[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[19a-PA3-2] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの温度依存性

〇石崎 隆浩¹、韓 旭¹、松浦 正樹¹、対馬 幸樹¹、白井 琢人¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：レーザ、InP/Si、直接貼付

情報伝送量の増加に伴い光インターコネクションの実現が望まれる。光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々はInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上MQWレーザの高温度発振特性について述べる。