2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PA3 (第一体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-8] 光無線給電用GaAsおよびInGaP受光デバイスの作製と評価

坪山 真之介1、日和田 健介1、荒井 昌和1、前田 幸治1 (1.宮崎大工)

キーワード:光無線給電、光電変換デバイス

光無線給電は小型、大電力で長距離伝送が期待される無線給電方式である。今回はGaAs、InGaP受光デバイスを作製し青色レーザ光(波長450 nm)照射時の諸特性を比較評価した。