9:30 AM - 11:30 AM
[19a-PA4-4] Tunneling conductivity of ultra-thin SiNx films formed by Cat-CVD
Keywords:ultra-thin silicon nitride films, tunneling conductivity, passivation films
Al/n-a-Si/n-c-Si/SiNx/n-a-Si/Alの構造をもつ試料のI–V特性を調査することにより、Cat-CVDで形成した極薄SiNx膜のトンネル導電性を評価した。SiNx膜厚0.8 nmの試料全体の抵抗値は0.3 Ω•cm2程度であり、線形のI–V特性も得られていることから、トンネル導電性を有するパッシベーション膜としての利用が期待される。一方、SiNx膜厚が3.2 nmになると、抵抗値が高く線形のI–V特性も得られないため、十分なトンネル導電性を有するとは言えない。