9:30 AM - 11:30 AM
[19a-PA4-5] Change in the passivation quality of SiNx films by NH3-based radical treatment by Cat-CVD
Keywords:SiNx, Cat-CVD, Radical treatment
Cat-CVD装置でのNH3系ラジカル処理がSiNx膜のパッシベーション性能に与える影響について、触媒体温度、ガス流量、圧力に対する依存性を調査した。触媒体温度1500 °C以下では1 ms程度のτeffが得られたが、触媒体温度2100 °Cではτeffは1 msを下回った。これは処理中に触媒体のタングステンが混入した可能性が考えられる。NH3系ラジカルにSi表面を曝露する際、適切な処理条件の選定が必要である。