09:30 〜 11:30
[19a-PB3-5] 発光層低抵抗化へ向けたTiO2:Sm:Nbの評価
キーワード:半導体、発光デバイス、酸化チタン
NbとSmをTiO2に共添加することによる低抵抗発光層を目指して研究を行った。
試料にはTiO2:SmにNb2O3をx wt% 共添加したターゲットを使用し、Si基板上に400 nm 成膜し
た。成膜後、試料は真空中で300〜800 ℃ で5 min アニールを行った。
x=0.1でのアニール温度ごとのPL Intensityを比較すると、700 ℃ ではx=0より高い発光強度
示した。x=0.1とx=1.0はx=0よりも抵抗が低く、x=11はx=0と同程度であった。x=0.1の700 ℃ アニールが最も低い値を示した。
試料にはTiO2:SmにNb2O3をx wt% 共添加したターゲットを使用し、Si基板上に400 nm 成膜し
た。成膜後、試料は真空中で300〜800 ℃ で5 min アニールを行った。
x=0.1でのアニール温度ごとのPL Intensityを比較すると、700 ℃ ではx=0より高い発光強度
示した。x=0.1とx=1.0はx=0よりも抵抗が低く、x=11はx=0と同程度であった。x=0.1の700 ℃ アニールが最も低い値を示した。