The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19a-PB3-1~25] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Thu. Sep 19, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB3 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[19a-PB3-8] Photoluminescence properties of P-doped β-FeSi2 films

Kensuke Akiyama1,2, Sakiko Nojima1, Ryo Takahashi1, Hiroshi Funakubo2 (1.Kanagawa Inst. Ind. Sci. Tech., 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron die-silicide semiconductor, Photoluminescence

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi2)において、我々は窒素(N)をドーピングすることでPL発光強度の温度消光特性が改善し、290Kまでの発光を報告した。このNドーピングの効果は、電気陰性度の大きさに起因すると考えられる、本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi2において、PをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善されPL発光強度の増大化が観察されることを報告する。