9:30 AM - 11:30 AM
[19a-PB3-8] Photoluminescence properties of P-doped β-FeSi2 films
Keywords:iron die-silicide semiconductor, Photoluminescence
シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi2)において、我々は窒素(N)をドーピングすることでPL発光強度の温度消光特性が改善し、290Kまでの発光を報告した。このNドーピングの効果は、電気陰性度の大きさに起因すると考えられる、本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi2において、PをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善されPL発光強度の増大化が観察されることを報告する。