09:30 〜 11:30
[19a-PB5-1] 室温における光伝導度測定によるGaAsNの評価
キーワード:GaAsN、光伝導度、組成揺らぎ
低い窒素組成のGaAsNは、窒素組成の増加に伴って、バンドギャップエネルギーが減少する性質をもつため、GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯への応用が期待されている。そこで、本研究では、室温における光伝導度測定を用いて、GaAsNを評価したので、その結果について報告する。
一般セッション(ポスター講演)
15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)
09:30 〜 11:30
キーワード:GaAsN、光伝導度、組成揺らぎ