[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-11] 歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_1-yIn_ySbステップバッファを用いたGa_1-xIn_xSb量子井戸チャネルの電子輸送特性

〇平岡 瑞穂¹、遠藤 勇輝¹、大澤 幸希¹、岸本 尚之¹、林 拓也¹、町田 龍人¹、渡邊 一世²、山下 良美²、原 紳介²、後藤 高寛²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、量子井戸、歪ステップバッファ

GaAs(100)基板上に成長させた歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_1-yIn_ySbステップバッファ層を用いた無歪Ga_1-xIn_xSb量子井戸(QW)チャネルの電子輸送特性を調べた。下部Al_1-yIn_ySbのIn組成を大きくすることでシート電子密度および電子移動度の増大が確認された。結果は、歪Al_0.40In_0.60Sb/Al_0.25In_0.75Sbステップバッファを用いた無歪Ga_0.22In_0.78Sb QWチャネルがInSb系HEMTの性能向上に有用であることを示唆している。