2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PB5-13] 成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価

〇久保 幸士朗1、野川 翔太1、河野 将大1、佐々木 拓生2、高橋 正光2、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大学、2.量子科学研)

キーワード：GaAsSb、3DRSM、MBE