[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-16] 再結晶化したIn_xGa_1-xAsの結晶性

〇堀田 行紘¹、平山 賢太郎¹、富永 依里子¹、大野 裕²、上田 修³ (1.広大院先端研、2.東北大金研、3.明治大)

キーワード：再結晶化、GaAs系III-V族混晶半導体