[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-2] Evaluation of the localized states in GaAsN using Photoluminescence

〇Kojiro Otake¹, Koichiro Shimizu¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, PL, localized states

GaAsNはGaAsよりも太陽光を吸収するエネルギー領域が広いことから、多接合の太陽電池材料として期待されている。このGaAsNでは、PLピークエネルギーが温度とともに高エネルギー側へ変化するS-Shape特性が報告されている。^[1,2]そして、このS-Shape特性を示す原因として局在準位の存在が指摘されているが、局在準位に関する詳細な報告は少ない。そこで、本研究では、PLスペクトルの温度依存性を評価することにより、GaAsN中の局在準位における発光機構について考察したので報告する。