[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-3] 陽子線照射によるIII-V-N混晶中の点欠陥低減効果の検証(2)

〇源常 栄人¹、山根 啓輔¹、二村 綾¹、今泉 充²、大島 武³、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.宇宙機構、3.量研)

キーワード：GaAsPN、点欠陥、陽子線

III-V-N混晶では、一般的にN組成の増加に伴い、NクラスタやN-N対等のN起因の点欠陥が増加する。結晶性の回復には熱処理による方法が広く行われてきたが、完全な結晶性の回復には至っていない。これまで我々はGaPNに陽子線を照射し熱処理を施すことで熱処理のみの場合よりも効果的な結晶性の回復を見出した。本研究ではN組成の異なるGaAsPNに陽子線を照射し熱処理を施すことでGaPN同様に結晶性回復効果を図った。