[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-6] 吸収および発光特性によるGaAsBiテイル準位の評価と成長温度の影響

〇長谷川 将¹、松村 淳太¹、岳山 恭平¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：分子線エピタキシー、化合物半導体、ビスマス