2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-7] Bi導入で引き起こされるGaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの構造変形

吉川 晃平1、松田 晃賢1、下村 哲1、石川 史太郎1、長島 一樹2、柳田 剛2 (1.愛媛大工、2.九大総合理工)

キーワード:ナノワイヤ