[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-9] チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響

〇岸本 尚之¹、熊坂 昂之輔¹、遠藤 勇輝¹、林 拓也¹、平岡 瑞穂¹、白井 脩策¹、吉田 直史¹、町田 龍人¹、渡邊 一世²、山下 良美²、原 紳介²、後藤 高寛²、笠松 章史²、藤代 博記¹、遠藤 聡¹ (1.東理大基工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、分子線エピキタシー、量子井戸

遮断周波数の向上には、小さな電子有効質量（m^＊）及び高い電子移動度（μ）を有するSb系材料が期待される。本研究では、InSbとGaInSbチャネルのチャネルスケーリングに対する適合性を調査した。 GaInSbチャネルはm^*が大きいためμが小さくなるが、伝導帯不連続が大きいためシート電子濃度も大きくなる。 GaInSb HEMT構造は、チャネル及びスペーサ膜厚が減少しても、より小さなシート抵抗が得られ、チャネル材料としてのの優位性を示している。