[19p-B01-1~6] Power Electronics and Technology of Thin Films - Surfaces. For realization of low energy consumption society

[19p-B01-2] Recent progress of impurity doping and device fabrication technologies based on CVD diamond semiconductor

〇Hiromitsu Kato¹, Masahiko Ogura¹, Toshiharu Makino¹, Daisuke Takeuchi¹, Satoshi Yamasaki¹ (1.AIST)

Keywords:Diamond semiconductor, Impurity Doping, Junction Device

近年のマイクロ波プラズマ化学気相堆積法によるダイヤモンド結晶成長技術の成熟により、高品質なダイヤモンド結晶成長や安定した不純物ドーピングが可能となり、各種ダイオードや電界効果型トランジスタの素子開発が飛躍的に進展してきた。本稿では不純物ドーピングによる伝導制御ならびにデバイス化技術に着目し、これらの基盤要素技術の開発状況を述べると共に、課題や今後の展開について紹介する。