3:45 PM - 4:15 PM
[19p-B01-5] Thin Film Technology for SiC Power Devices
Keywords:power device, SiC
SiCは次世代の高耐圧・低損失パワー半導体として注目され、SiCパワーMOSFETとショットキー障壁ダイオードの量産が始まった。本報告では、SiCパワー半導体のエピタキシャル成長と酸化膜形成に注目し、その基礎技術、物理的理解、および今後の課題について概説する。
Symposium (Oral)
Symposium (technical) » Power Electronics and Technology of Thin Films - Surfaces. For realization of low energy consumption society
Thu. Sep 19, 2019 1:30 PM - 4:45 PM B01 (B01)
Takatoshi Yamada(AIST), Tabata Hitoshi(東大)
3:45 PM - 4:15 PM
Keywords:power device, SiC