2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム(technical) » 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

2019年9月19日(木) 13:30 〜 17:00 B11 (B11)

真田 俊之(静大)、吉水 康人(東芝メモリ)

13:30 〜 14:00

[19p-B11-1] SiとGe表面のウェットエッチングの新潮流:不動態化から加工まで

有馬 健太1 (1.阪大院工)

キーワード:半導体表面、不動態化、加工プロセス

ウェットエッチングは、半導体表面の洗浄や微細加工等を行う際の基本技術である。半導体デバイスの高性能化が進む今日、ウェットエッチングが担う役割は益々大きくなると共に、求められる精度も極限レベルに到達しつつある。今回は、主にSiとGe表面を対象として、ウェットエッチングが関わる洗浄や加工プロセスについて、我々のグループでの取り組みや最新のトピックスを紹介する。