[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-2] III-V族化合物半導体のウェットエッチング
〜窒化物半導体に関する最近の話題を中心に〜

〇佐藤 威友¹、渡久地 政周¹ (1.北大量集センター)

キーワード：III-V族化合物半導体、ウェットエッチング、電気化学反応