[19p-B11-1~8] Interfacial Nano Electrochemistry - Diversification of Semiconductor Wet Process

[19p-B11-4] Elucidation of saw marks flattening mechanism in Si etching using HF/HNO₃

〇Takashi Fukatani¹, Takashi Oinoue¹, Suguru Saito¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:Si etching, HF/HNO3, saw marks

Si基板バックグラインド後のソーマーク段差平坦化およびダメージ層の除去には、フッ硝酸によるSiエッチングプロセスが用いられている。ダメージ層の除去は一定のエッチング量を確保することにより達成されるが、ソーマーク段差の平坦化挙動については、これまで詳細な検討は行われていない。本研究では規則的なSi段差パターンを形成したサンプルを用いて、Si段差が平坦化される挙動について定量的な考察を行った。