2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム(technical) » 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

2019年9月19日(木) 13:30 〜 17:00 B11 (B11)

真田 俊之(静大)、吉水 康人(東芝メモリ)

15:45 〜 16:15

[19p-B11-6] DRAMにおける洗浄技術の開発課題

八木 秀明1 (1.マイクロンメモリジャパンTD)

キーワード:DRAM、洗浄技術

DRAM開発においては、スケーリング要求に対応する各種プロセス技術の進展が、高集積化とともに高性能・低消費電力のDRAMを実現してきた。次世代DRAMの開発・製品化と歩留向上に向け、一層の微小異物対策や、高アスペクトで脆弱な構造に対する高度な洗浄・乾燥技術が必要とされる。本講演ではこれらの課題について概観する。