[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-7] 次世代三次元フラッシュメモリにおけるウェットプロセスの有用性

〇吉水 康人¹ (1.東芝メモリ（株）)

キーワード：フラッシュメモリ、ウェットプロセス

現在データ社会で生成されるデータ量は2018 年で33ZB であるが今後IoT/AI の普及により年率
27%で増加する予測となっている[1]。われわれは今後も拡大するビッグデータ社会においてより
多くのデータを安価に保存できる半導体ストレージを提供するため、従来二次元平面で微細化し
てきたNANDフラッシュメモリの回路を三次元積層化によっても記録密度を高めることができる
BiCS FLASHTM を世界に先駆けて開発し、第四世代に相当する 96 層品を開発し[2]、現在生産を
行っている。当日は、フラッシュメモリデバイス構造の三次元化とその積層化に伴って要求され
る半導体ウェットプロセステクノロジとその有用性に関して報告する。