2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム(technical) » 薄膜表面・界面評価法の新展開

[19p-B31-1~8] 薄膜表面・界面評価法の新展開

2019年9月19日(木) 13:15 〜 17:15 B31 (B31)

川原村 敏幸(高知工科大)、西川 博昭(近畿大)

14:15 〜 14:45

[19p-B31-3] 軟X線分光を用いた強磁性半導体薄膜の電子構造解析

小林 正起1,2 (1.東大院工、2.東大CSRN)

キーワード:強磁性半導体、光電子分光、X線発光分光

近年、放射光技術の目覚ましい発展により、軟X線(光のエネルギー hn 100 eV–2 keV)を用いた分光による薄膜試料およびヘテロ構造の界面の電子状態解析が進展している。講演では、軟X線角度分解光電子分光および軟X線共鳴非弾性X線散乱を用いた、強磁性半導体薄膜の電子構造解析について述べる。