[19p-B31-1~8] 薄膜表面・界面評価法の新展開

[19p-B31-6] テラヘルツ放射を利用した半導体表面・界面分析

〇川山 巌¹ (1.阪大レーザー研)

キーワード：テラヘルツ波、半導体、界面

我々は、試料に超短パルスレーザーを照射し、発生するテラヘルツ(THz)波の振幅および位相から試料の表面・界面におけるキャリアのダイナミクスを計測する、レーザーTHz放射顕微鏡/分光法 (LTEM/LTES)を開発し、様々な材料やデバイスを評価している。本講演では、半導体材料やデバイスの表面・界面における、分極構造やポテンシャル変化を計測した、最近の成果に関して報告する。