[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-12] 濃度の異なるEu添加GaN薄膜におけるゼーマン分裂

〇小野田 稜太¹、関口 寛人²、若原 昭浩²、中岡 俊裕¹ (1.上智大理工、2.豊橋技科大工)

キーワード：希土類、ゼーマン分裂、g因子

固体中に添加された希土類原子は，外部環境の影響を受けずにその元素特有の量子準位を形成することが知られ，発光素子，将来の量子情報素子としての応用が研究されている．GaNにEuをドープした系ではEuの4f殻内遷移による高効率赤色発光が得られており，次世代発光素子として期待される一方特にMBE成長におけるGaN:Euの発光の起源については未解明な部分が多く活発に研究されている．我々は，量子情報応用および発光起源解明に貢献するためEuイオンのメイン発光ピークのゼーマン分裂を報告してきた．今回，Eu濃度の異なるサンプルに対してゼーマン分裂の観測を行い，分裂幅が異なることを見出したのでこれを報告する．